百恩威

        随着现代电子信息技术的飞速发展，电子系统及器件向着小型化、高集成、高可靠性的方向发展，这也对其电子封装材料提出了更高的要求。电子封装材料用于承载、保护芯片及其连接线路，必须同时具备良好的加工、焊接性能，足够的机械强度和刚度，良好的散热能力，合适的热膨性；用于航空领域的封装材料还要求有尽可能低的密度,严格的气密性等。封装材料的性能直接影响着整个电子部件的可靠性与寿命。现有封装材料如可伐合金（Kovar）、铜钼(Cu-Mo)等已难以同时满足以上要求，因此开发新型高性能封装材料迫在眉睫。
        Al-Si电子封装材料具有低热膨胀系数，高热导率，低密度，良好的加工、电镀、焊接性能，还可以通过调整Al和Si元素比例实现不同的热膨胀系数，尤其适合航天微波电路、大功率集成电路、载波器、电子光学框架等高精领域。此外铝和硅原材料资源丰富，价格低廉，环保无害，特别适合长期应用。因此，高性能Al-Si电子封装材料一直是国内外研究的热点。国外高性能Al-Si合金已经实现规模生产，如国外著名的Osprey公司生产的CE合金系列等；国内有北京有色院，北科大，北航，中南大学等研究机构进行了相关研究，但鲜有大规模工业化生产的报道。
        天津百恩威新材料科技有限公司经过数年的研发，成功开发出急速冷却技术用于生产高性能Al-Si电子封装材料。形成了高性能Al-Si原材料生产至精深加工产业链，具备年产原材料3600t，精加工壳体类30万套的产能。目前已通过了ISO9001：2008质量管理体系认证及国家军用标准(GJB)认证，进入批量化生产应用阶段。所生产的高性能Al-Si封装原材料显微组织细小、均匀、致密，加工和使用性能优异，质量稳定。急速冷却显微组织如图1所示。精加工封装壳体类产品尺寸精度高，电镀及焊接性优异，赢得了客户的认可，取得良好的经济和社会效益，并可根据客户使用需求提供产品专属定制服务。部分高性能Al-Si原材料性能见表1，某Al-Si蚀刻产品实物见图2。